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18
2019-03
氮化鎵技術(shù)如何應(yīng)用在適配器和充電器領(lǐng)域？
氮化鎵技術(shù)如何應(yīng)用在適配器和充電器領(lǐng)域？1 簡(jiǎn)介寬帶隙功率半導(dǎo)體的商業(yè)可用性及其明顯更好的品質(zhì)因數(shù)對(duì)許多客戶提出了一些基本問(wèn)題：基于這些寬帶隙器件的系 ...
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11
2019-01
IGBT高頻電源
IGBT高頻電源IGBT中頻電源是一種串聯(lián)諧振中頻感應(yīng)熔煉爐電源。它的逆變器是一種新型的IGBT模塊（德國(guó)西門(mén)子公司生產(chǎn)的絕緣柵雙極晶體管）。主要用于 ...
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07
2019-01
IGBT器件的國(guó)產(chǎn)化為何如此重要？
IGBT器件的國(guó)產(chǎn)化為何如此重要？最近，國(guó)內(nèi)一家知名的新能源汽車(chē)公司召開(kāi)了新車(chē)發(fā)布會(huì)，會(huì)議將自主研發(fā)IGBT技術(shù)納入其核心競(jìng)爭(zhēng)力。為什么IGBT如此重 ...
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22
2018-12
如何正確計(jì)算并最大限度減小IGBT的死區(qū)時(shí)間？
IGBTIGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅(qū)動(dòng)功率和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn)，而且具有大功率晶體管低導(dǎo)通電壓和高導(dǎo)通電流的優(yōu) ...
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21
2018-12
IGBT的作用及應(yīng)用！
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件，其 ...
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31
2018-10
英飛凌TRENCHSTOP應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件，其 ...
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31
2018-10
IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件，其 ...
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26
2018-10
數(shù)字化大功率IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路如何實(shí)現(xiàn)？
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半 ...
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25
2018-10
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)研究
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件，其 ...
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22
2018-10
英飛凌EiceDRIVER?驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC) MOSFET
英飛凌EiceDRIVER?驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC) MOSFET碳化硅(SiC) MOSFET具有極佳的快速開(kāi)關(guān)性能，英飛凌提供1200伏的CoolSi ...