英飛凌EiceDRIVER?驅(qū)動碳化硅(SiC) MOSFET

碳化硅(SiC) MOSFET具有極佳的快速開關(guān)性能，英飛凌提供1200伏的CoolSiC? 碳化硅(SiC) MOSFET以供客戶選擇。

英飛凌的隔離型門極驅(qū)動，基于無鐵芯變壓器技術(shù)，以其強(qiáng)大的驅(qū)動能力和保護(hù)功能而著稱，可以輕松地驅(qū)動1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET，并提供可靠的電氣隔離。想要了解更多英飛凌隔離型門極驅(qū)動的信息，請參考英飛凌門極驅(qū)動選型指南。

以下這些驅(qū)動芯片擁有許多驅(qū)動碳化硅(SiC) MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)勢，極短的傳輸延遲，精準(zhǔn)的通道間匹配和輸入濾波，超寬的輸出范圍和負(fù)電壓驅(qū)動能力，以及極佳的共模瞬變抗擾度（CMTI）。

產(chǎn)品特性

• 提供3.8 mm的DSO-8窄體封裝，及7.6 mm爬電距離的DSO寬體封裝

• 能夠在高溫環(huán)境下工作

• 提供有源米勒鉗位功能

• 提供短路電流鉗位與有源安全關(guān)斷

• 共模瞬變抗擾度（CMTI）高于100 kV/μs

• 精準(zhǔn)的退飽和保護(hù)功能（DESAT）

• 欠壓鎖定額定閾值為 12 V/11 V

   

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