IGBT屬于復(fù)合器件，有MOS器件高速開關(guān)和低電壓驅(qū)動特點(diǎn)， 可以承受高電壓和大電流，并且關(guān)斷延遲時間短，在工業(yè)控制領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，比如高頻焊接，逆變器，交流電動機(jī)調(diào)速， 變頻器，電動汽車， UPS，智能家電等。但I(xiàn)GBT 容易損壞，在應(yīng)用時要注意保護(hù)。
IGBT的失效模式
判斷IGBT的失效模式一般是根據(jù)失效特征，結(jié)合器件的結(jié)構(gòu)，模擬結(jié)果等進(jìn)行判斷。
1. 過電應(yīng)力（過壓/過流）
IGBT運(yùn)行超出安全工作區(qū)，異物引起短路，地線及電源系統(tǒng)產(chǎn)生的電浪涌，烙鐵漏電，儀器或測試臺接地不當(dāng)產(chǎn)生感應(yīng)電浪涌等，都可以引起電過載失效。
對于靜電損傷，不僅有PN結(jié)劣化擊穿，表面擊穿等高電壓小電流型失效模式，也有金屬化，多晶硅燒毀等大電流模式。
Gate –emitter過壓
典型特征：芯片表面出現(xiàn)比較淺的熔化區(qū)域，或者在柵極的pad附近出現(xiàn)較小的熔化區(qū)域，這種過壓的原因很可能是ESD損傷，如果熔化燒毀的區(qū)域較大，則不是ESD的典型特征。
Collector –emitter過壓
典型特征：在保護(hù)環(huán)（guard ring）與IGBT單元之間出現(xiàn)點(diǎn)狀熔化區(qū)域，或者是在保護(hù)環(huán)上出現(xiàn)熔化區(qū)域。
超出反偏安全工作區(qū)（RBSOA）
典型特征：在芯片表面的IGBT單元上出現(xiàn)一個較深的，由于熔化而產(chǎn)生的洞，一般是由于關(guān)斷電流過大，或者IGBT在較高的結(jié)溫下工作而擊穿。
反向恢復(fù)二極管(FWD) 超出SOA
典型特征：二極管的陽極區(qū)域出現(xiàn)由于熔化產(chǎn)生的洞。
2. 過熱損傷：
超出IGBT 承受范圍的溫度，導(dǎo)致焊料，芯片表面保護(hù)層，以及鋁層熔化。
典型特征：IGBT上出現(xiàn)較多的分離的，大面積的鋁層熔化，芯片下方的焊料有熔融再
流的痕跡， 如球狀焊珠。
3. 機(jī)械損傷：
振動失效：
典型特征：焊線斷裂，并伴有焊線熔斷。
安裝損傷：
典型特征：基板上有機(jī)械損傷痕跡，陶瓷基片上出現(xiàn)裂紋。
4. 器件本身缺陷：
絕緣失效：
典型特征：在硅膠覆蓋的銅基材之間出現(xiàn)跳火痕跡，有可能是由于硫的引入生成硫化銅，通過生長使得相鄰的銅材之間短路，降低耐壓，最終產(chǎn)生跳火現(xiàn)象。原因可能是器件生產(chǎn)過程中的污染引起。
5. 器件老化：
典型特征：鋁線脫落，焊接區(qū)域出現(xiàn)分層，一般是由于器件達(dá)到了設(shè)計(jì)使用壽命極限。
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