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基本參數(shù)

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.6 V 

在25 C的連續(xù)集電極電流: 200 A 

柵極射極漏泄電流: 200 nA 

功率耗散: 960 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

長(zhǎng)度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數(shù)量: 10只

IGBT保護(hù)方法

　　當(dāng)過(guò)流情況出現(xiàn)時(shí)，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)(SCSOA)內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的故障檢測(cè)與保護(hù)環(huán)節(jié)。一般的檢測(cè)方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護(hù)。

　　1)封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)

　　在逆變電源的負(fù)載過(guò)大或輸出短路的情況下，通過(guò)逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)檢測(cè)電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí)，保護(hù)動(dòng)作封鎖所有橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這種保護(hù)方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經(jīng)特別設(shè)計(jì)，使其適用于短路情況。這種方法的缺點(diǎn)是會(huì)造成IGBT關(guān)斷時(shí)承受應(yīng)力過(guò)大，特別是在關(guān)斷感性超大電流時(shí)，必須注意擎住效應(yīng)。

　　2)減小柵壓

　　IGBT的短路電流和柵壓有密切關(guān)系，柵壓越高，短路時(shí)電流就越大。在短路或瞬態(tài)過(guò)流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會(huì)減小下來(lái)，當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，di/dt也減小。集成驅(qū)動(dòng)電路如EXB841 或M579xx系列都有檢測(cè)vCES電路，當(dāng)發(fā)現(xiàn)欠飽和時(shí)，柵壓箝位到10V左右，增大vCES，限制過(guò)電流幅值，延長(zhǎng)允許過(guò)流時(shí)間。

　　整流拉逆變式組合保護(hù)方案

　　1、逆變部分保護(hù)

　　本設(shè)計(jì)逆變器為半橋式結(jié)構(gòu)，串聯(lián)諧振負(fù)載，驅(qū)動(dòng)采用IR公司的IR2110 半橋驅(qū)動(dòng)芯片。IR2110電路簡(jiǎn)單，成本低，適用于中大功率IGBT，實(shí)驗(yàn)結(jié)果也驗(yàn)證了IR2110驅(qū)動(dòng)中大功率IGBT的可行性。IR2110芯片有一個(gè)封鎖兩路驅(qū)動(dòng)的SD輸入端，當(dāng)此引腳為高電平時(shí)，立刻封鎖兩路輸出。