IGBT

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件，其具有兩個(gè)MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和電壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流大; MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通電壓降大，且載流密度小。 IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，具有低驅(qū)動(dòng)功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，如交流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源、照明電路、牽引驅(qū)動(dòng)和其他領(lǐng)域。

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