三極管，MOSFET, IGBT的區(qū)別？

做開關(guān)管來用的話，這三種區(qū)別還是很明顯的。簡單來說就是，三極管是電流控制電流，MOS管是電壓控制電壓，IGBT是電壓控制電流。

三極管的微觀構(gòu)造是兩個PN結(jié)，Vbe就是一個PN結(jié)的壓降大約0.7V，用一個小電流Ib來控制一個大電流Ic。基極電流一般是毫安級別。

MOS管的微觀構(gòu)造是一塊半導(dǎo)體上有一個絕緣層，這個絕緣層的厚度是根據(jù)柵極電壓變化的，就像一個閘門一樣，柵極電壓越高閘門開的越大，一般柵壓Vgs在10V左右，不超過20V，也有專門的低柵壓mos，柵壓5V就能完全打開，由于柵極是絕緣的，所以電流極小，只有微弱的漏電流納安級別。IGBT類似上述兩者的結(jié)合，用電壓來控制PN結(jié)，適合大電流應(yīng)用，幾十幾百安培級別。（英飛凌igbt廠家）