IGBT
IGBT是一種十分重要的電力電子器件。它既有功率MOSFET驅動功率小、開關頻率高的優點，又有大功率晶體管導通電壓低、通態電流大的優點。它在任何時刻可關斷通態電流，避免了普通晶閘管在一個半波內只能導通不能關斷的弱點。在電力電子領域是一個十分有發展前途的大功率半導體器件。
IGBT這種新型功率半導體器件又稱絕緣柵雙極型晶體管，是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發電、電機傳動、汽車等強電控制等產業領域。它問世近三十年，已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。
英飛凌是全球頂尖汽車電子半導體芯片廠商，客戶遍及全球頂尖零部件廠商和車廠。產品線涵蓋傳感器，微處理器和執行器。英飛凌是全球最大的IGBT芯片和模塊供應商，市場份額分別為20%左右，在我國內地更是高達80%左右的市場占有率。英飛凌是全球少數幾個可為安全應用和動力系統應用以及車身和舒適電子裝置等系統提供三種基本的傳感器(測量壓力、加速度和磁場)的半導體廠商之一。
國內工程設計師選擇型號時，電力電子、通訊行業、新能源動力（特別是新能源汽車）更加青睞歐美品牌，英飛凌是新能源汽車設計開發中的佼佼者，每年英飛凌公司都會為新能源混合動力汽車推出多種IGBT解決方案，其東家西門子更是電子電力的老牌企業。在IGBT單管應用中，工程師更喜歡日本品牌的，日本品牌的IGBT單管主要用于電磁爐、變頻空調、冰箱、洗衣機等家電類。
不過近幾年英飛凌的IGBT單管也在家電類產品中占有一席之地，而三菱的IGBT模塊在也開始大量應用于軍工、電力電子等行業，設計時選擇IGBT模塊需要慎重考慮，選擇性能穩定的IGBT模塊和像南京微葉科技有限公司這樣可靠的代理商。
英飛凌IGBT目前發展到了第四代成熟應用.第一代PT型IGBT(Punch Through)穿透型技術. 第二代NPT(Non Punch Through)非穿透型IGBT,第三代Trench溝槽柵極技術,第四代Trench + Field-Stop溝槽柵+場終止技術,硅片的結溫從125度發展到150度再到第四代的175度.半導體結溫的提高,提升了IGBT晶圓的功率密度,在同等散熱條件下功率密度更大.技術的進步降低了IGBT芯片的導通壓降,減少了器件的導通損耗。
英飛凌IGBT模塊在中國工業應用領域其市場份額遙居第一位。通用變頻器超過55％；中高壓變頻器超過80％；逆變電焊機超過50％；感應加熱超過80％；運輸領域超過70％。英飛凌/EUPEC IGBT模塊經過了中國客戶十多年的反復選擇與考驗，樹立了在中國的市場主導地位。
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