IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 絕緣柵雙極晶體管)是一種少數載流子器件,具有輸入阻抗高,電流承載能力強的特點.從電路設計者的角度來看,IGBT具有MOS器件的輸入特性且有雙極器件的電流輸出能力,是一種電壓控制型雙極型器件.IGBT被發明的目的是為了綜合功率MOSFET與BJT兩種器件的優點.可以講IGBT是功率MOSFET與BJT合二為一的化身.兩者優點集中在一體從而能有優異的性能.

IGBT適合于功率電路中的很多種應用,尤其是PWM驅動,三相驅動這些需要高動態控制與低噪音的應用場景.其他應用UPS,開關電源等等需要高開關頻率的場景也適合使用IGBT.IGBT的特點是能提供高的動態性能,轉換效率,同時具有低的可聽到的噪音.它也適用于諧振模式的轉換/逆變電路.有專門為低傳導損耗與低開關損耗優化的IGBT器件.

IGBT有什么優點？

IGBT有什么缺點？

IGBT的長處在于增強電壓隔斷的能力.比如說對于MOSFET,隨著擊穿電壓的增加,導通電阻會增加非常快,原因在于為了提高擊穿電壓,漂移區的厚度與本身電阻必須增加.所以實踐中,一般不會設計同時具有高電流承載能力與高擊穿電壓的MOSFET.而對于IGBT,因為在導通時有高度集中的注入少數載流子,漂移區的電阻大大減小.故此漂移區的正向壓降僅僅與其厚度相關而與其本身的電阻相對獨立.