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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 BSM200GAL120DN2 200A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: BSM200GAL120DN2
發(fā)布時(shí)間: 2018-10-08
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 290 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
高度: 30.9 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: 20 V
包裝數(shù)量: 10只
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。
因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：
在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí)，
在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。
為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。
這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
眾所周知，變頻器在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，而目前，隨著節(jié)能環(huán)保理念逐漸成為一種趨勢的情況下，對變頻器提出了更高的要求。
基于對中國市場客戶需求的理解，英飛凌推出全新Advantage 系列IGBT產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品針對中國企業(yè)的需求，同時(shí)對產(chǎn)品性能和可靠性進(jìn)行了優(yōu)化，為中國變頻器廠家在不同場景下的差異化需求提供了高性價(jià)比的解決方案。
- 其他產(chǎn)品
