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產品名稱: 英飛凌IGBT模塊 BSM200GAL120DN2 200A 1200V
產品類型: 英飛凌IGBT
產品型號: BSM200GAL120DN2
發布時間: 2018-10-08
- 產品描述
詳細參數
制造商: 英飛凌
產品種類: IGBT 模塊
集電極發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.5 V
在25 C的連續集電極電流: 290 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
高度: 30.9 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發射極最大電壓: 20 V
包裝數量: 10只
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。
因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時，
在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。
為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。
這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
眾所周知，變頻器在工業領域應用非常廣泛，而目前，隨著節能環保理念逐漸成為一種趨勢的情況下，對變頻器提出了更高的要求。
基于對中國市場客戶需求的理解，英飛凌推出全新Advantage 系列IGBT產品，該系列產品針對中國企業的需求，同時對產品性能和可靠性進行了優化，為中國變頻器廠家在不同場景下的差異化需求提供了高性價比的解決方案。
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