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基本參數

制造商:                           Infineon 

產品種類:                         IGBT 模塊 

配置:                            Hex 

集電極發射極最大電壓 VCEO:              1200 V 

集電極射極飽和電壓:                   2.15 V 

在25 C的連續集電極電流:                 600 A 

柵極—射極漏泄電流:                    400 nA 

Pd-功率耗散:                         2.1 kW 

最小工作溫度:                         - 40 C 

最大工作溫度:                         + 125 C 

封裝:                              Tray 

高度:                              17 mm  

長度:                              162 mm  

寬度:                              150 mm  

安裝風格:                           Screw Mount  

柵極發射極最大電壓:                    +/- 20 V  

工廠包裝數量:                        4 只 

有源米勒鉗位當下橋臂開通的時候，A 點會被拉到地，在很短的時間內，上橋臂器件上會產生一個很大的 dV/dt. 上橋臂器件本身通過米勒電容 Cgc 會產生一個 Vgc 電流，導致基極電壓升高，當 Vgate 電壓高到 一定值時，上橋臂會再次導通，這樣就會出現一個穿透，導致短路。很常見的做法是關斷的時候 用負壓，一般采用-15V，就算 Vg 電壓高到幾伏都不會有影響。所以很多驅動 IC 都需要雙電源供 電。在設計的時候同時需要設置好死區時間。 而針對英飛凌這款單電源供電產品是怎么處理的呢？就采用了有源鉗位，在器件內部會檢測外部 的電壓，一旦高于 2V，就會通過一個邏輯把下面專用的一個鉗位 MOSFET（B）開通，這顆 MOSFET 的能力和其他正常關斷的 MOSFET 能力一樣，因為 MOSFET 的面積和器件本身空間的限制，所以 具有油源鉗位功能的驅動器件目前最大驅動電流只能做到 3A。當上下橋臂導通的時候，門極電壓也會慢慢抬高，而當門極電壓變 得越來越高的時候，流過功率器件的電流將會越來越大，功率器件將會升溫更加厲害，最后導致 炸管。 所以在實際應用中就需要把門極電壓拉住。最傳統的做法是通過一個二極管 Dc1 接到供電電壓， 鉗位到供電電壓。而英飛凌的產品則是把二極管實現的功能集成到驅動器件內部了。這樣的目的 是集成度更高，降低了客戶設計難度，同時保證了更高的可靠性。