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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT FS450R12KE3/AGDR-71C 450A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: FS450R12KE3/AGDR-71C
發(fā)布時間: 2018-09-17
- 產(chǎn)品描述
基本參數(shù)
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
配置: Hex
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.15 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 600 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2.1 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 162 mm
寬度: 150 mm
安裝風格: Screw Mount
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
工廠包裝數(shù)量: 4 只
有源米勒鉗位當下橋臂開通的時候，A 點會被拉到地，在很短的時間內(nèi)，上橋臂器件上會產(chǎn)生一個很大的 dV/dt. 上橋臂器件本身通過米勒電容 Cgc 會產(chǎn)生一個 Vgc 電流，導(dǎo)致基極電壓升高，當 Vgate 電壓高到 一定值時，上橋臂會再次導(dǎo)通，這樣就會出現(xiàn)一個穿透，導(dǎo)致短路。很常見的做法是關(guān)斷的時候 用負壓，一般采用-15V，就算 Vg 電壓高到幾伏都不會有影響。所以很多驅(qū)動 IC 都需要雙電源供 電。在設(shè)計的時候同時需要設(shè)置好死區(qū)時間。 而針對英飛凌這款單電源供電產(chǎn)品是怎么處理的呢？就采用了有源鉗位，在器件內(nèi)部會檢測外部 的電壓，一旦高于 2V，就會通過一個邏輯把下面專用的一個鉗位 MOSFET（B）開通，這顆 MOSFET 的能力和其他正常關(guān)斷的 MOSFET 能力一樣，因為 MOSFET 的面積和器件本身空間的限制，所以 具有油源鉗位功能的驅(qū)動器件目前最大驅(qū)動電流只能做到 3A。當上下橋臂導(dǎo)通的時候，門極電壓也會慢慢抬高，而當門極電壓變 得越來越高的時候，流過功率器件的電流將會越來越大，功率器件將會升溫更加厲害，最后導(dǎo)致 炸管。 所以在實際應(yīng)用中就需要把門極電壓拉住。最傳統(tǒng)的做法是通過一個二極管 Dc1 接到供電電壓， 鉗位到供電電壓。而英飛凌的產(chǎn)品則是把二極管實現(xiàn)的功能集成到驅(qū)動器件內(nèi)部了。這樣的目的 是集成度更高，降低了客戶設(shè)計難度，同時保證了更高的可靠性。
- 其他產(chǎn)品
