英飛凌igbt銷售
產品中心
最新資訊
聯系我們
產品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS75R12KT3 75A 1200V
產品類型: 英飛凌IGBT
產品型號: FS75R12KT3
發布時間: 2018-09-29
- 產品描述
詳細參數
制造商: 英飛凌
產品種類: IGBT 模塊
集電極發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.15 V
在25 C的連續集電極電流: 105 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 355 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 17 mm
長度: 107.5 mm
寬度: 45 mm
柵極發射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數量: 10只
SOx故障輸出的應用
SOx故障輸出端有20mA的驅動能力。與主控制器的距離越長，SOx線路對EMC越敏感，因為普通控制器輸入的阻抗比較高。
如果未檢測到故障狀況，SOx輸出為高阻抗。因此，很容易有電壓尖峰被感應出來。
下圖（上圖）中將上拉電阻R4放置在SOx線路末端靠近控制器的一側的方案是不推薦的。下圖中顯示的兩種解決方案（中圖和下圖）可以解決這個問題：
1.將緩沖器按照下圖（中圖）放置在靠近驅動器SOx端子的位置。建議使用R4>1k?的上拉電阻上拉至VCC。如果發生故障，相應的SOx輸出將被拉到GND。
建議將該電阻放置得盡可能靠近驅動器。圖中100?電阻可保護緩沖器免受電磁干擾。下拉電阻R5可保護控制器輸入免受電壓尖峰影響。
2.在下圖（下圖）中，由10?電阻和肖特基二極管構成的保護網絡可保護驅動器的SOx輸出。
IGBT4代芯片技術-小結
1.基于溝槽柵+場終止結構，1200V和1700V。
2.1200V三種類型：小功率T4、中功率E4、大功率P4。
3.1700V兩種類型：中功率E4、大功率P4。
4.P4實現軟關斷特性的明顯提升，關斷時電壓尖峰小，無振蕩。
5.T4和E4提高關斷速度，開關頻率較高時輸出能力優于T3和E3。
6.配用反向恢復特性更“軟”的EmCon4續流二極管。
7.飽和電壓正溫度系數，10μs短路承受時間不變。
- 其他產品
