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詳細參數

制造商: Infineon 

產品種類: IGBT 模塊 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.2 V 

在25 C的連續集電極電流: 1400 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 9.55 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C 

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V   

工廠包裝數量: 2只

IGBT的退飽和行為的介紹

IGBT的外特性的形狀實際上和三極管及MOSFET的外特性是相似的，在 IGBT的線性區，門極電壓與短路電流的關系是線性的。 IGBT退飽和行為，其字面的意思是“退出了飽和區”，實際就是“進入線 性區”的另外一種說法。 IGBT的電流如果持續增大，當到達某一個點（退飽和點）時，IGBT的 Vce會發生顯著變化，會在非常短的時間內（例如幾百納秒內）上升至 直流母線電壓。退飽和行為的標志就是Vcesat上升至直流母線電壓。 Vcesat在飽和區內的變化是非常微弱的，如果想利用飽和壓降的變化來 辨識IGBT的電流是很困難的，通常我們只辨識IGBT的退飽和行為。