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詳細(xì)參數(shù)說明

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 1.7 V 

在25 C的連續(xù)集電極電流: 200 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1.05 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.9 mm  

長度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm   

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數(shù)量: 10只

光纖與SCALE-2驅(qū)動(dòng)核的接口電路

光纖與SCALE-2驅(qū)動(dòng)核接口可以使用以下的電路 驅(qū)動(dòng)核接口可以使用以下的電路，但實(shí)際上光纖收發(fā)器的 但實(shí)際上光纖收發(fā)器的

電源為+5V，處理手法可以用穩(wěn)壓芯片，也可以用穩(wěn)壓管；反饋光纖可以通過將SO1，SO2短接后匯成一個(gè)信號。

光纖接口與驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的應(yīng)用的配合

光電轉(zhuǎn)換后將信號接入施密特觸發(fā)器進(jìn)行反相，然后再連進(jìn)兩個(gè)并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)核，且連線要盡量短，這樣才能保證驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的同步性。

在三電平變換器的工作過程中，正確的半導(dǎo)體換流行為可確保在外管IGBT/MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)內(nèi)管IGBT/MOSFET不會(huì)關(guān)斷，以免整個(gè)直流母線電壓施加在相應(yīng)的功率半導(dǎo)體上。

使用CONCEPT的 SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須考慮這種情況。如果驅(qū)動(dòng)器檢測到短路或電源欠壓，則可能會(huì)發(fā)生此類事件。

檢測到故障后，驅(qū)動(dòng)器會(huì)立即關(guān)閉相應(yīng)的通道。

功率半導(dǎo)體通常不能承受整個(gè)母線電壓。

只有采取充分的防護(hù)措施，才能防止功率半導(dǎo)體損壞。

SCALE-2的高級有源箝位功能可防止IGBT/MOSFET在這種情況下出現(xiàn)集電極過壓。

因此，在這樣的故障條件下就無需為待關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)器通道提供特定的關(guān)斷順序 - 這種情況下可在故障反饋后的3μs內(nèi)的任何時(shí)刻直接施加關(guān)斷指令。

建議在故障反饋后向變換器內(nèi)的所有IGBT驅(qū)動(dòng)器施加同時(shí)的關(guān)斷指令，以達(dá)到穩(wěn)定的系統(tǒng)狀態(tài)。

單個(gè)SCALE-2驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)IGBT/MOSFET中的應(yīng)用 

使用單個(gè)驅(qū)動(dòng)核驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的IGBT應(yīng)用中的高級有源箝位

有源箝位技術(shù)的功能是，在集電極-發(fā)射極（漏極-源極）電壓超過預(yù)定義的閾值時(shí)，立即將功率半導(dǎo)體部分地打開。

然后，使功率半導(dǎo)體保持在線性區(qū)內(nèi)工作。

基本有源箝位電路是將IGBT的集電極電位通過瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)反饋到IGBT門極的單反饋電路。

大部分SCALE-2產(chǎn)品都支持CONCEPT的高級有源箝位，這項(xiàng)功能是將集電極的反饋信號送進(jìn)驅(qū)動(dòng)器副邊的引腳ACLx：

只要下圖中20?電阻右側(cè)的電壓超過大約1.3V（參考COMx），驅(qū)動(dòng)器推動(dòng)級的關(guān)斷MOSFET就會(huì)逐步關(guān)斷，以提高有源箝位的效率，降低TVS中的損耗。

當(dāng)20?電阻右側(cè)的電壓達(dá)到20V（參考COMx）時(shí)，關(guān)斷MOSFET會(huì)完全關(guān)斷。

在使用單個(gè)驅(qū)動(dòng)核的并聯(lián)IGBT運(yùn)行中，高級有源箝位需要控制所有并聯(lián)IGBT/MOSFET。

每個(gè)門極都需要按照下圖獲得獨(dú)立反饋。