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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FF200R17KE3 200A 1700V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FF200R17KE3
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-28
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 390 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 30.9 mm
長(zhǎng)度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
驅(qū)動(dòng)器副邊電源電壓處理方法
通?，F(xiàn)在的設(shè)計(jì)中，在IGBT的門極與發(fā)射極之間會(huì)放置一個(gè)阻值大約在2K~10K的電阻。
這個(gè)電阻的作用是在門極開路狀態(tài)時(shí)，減小門極的阻抗，用以防止靜電損壞門極。
但實(shí)際上，在電路安裝完成后，這個(gè)電阻就不再其作用了。
如果安裝IGBT的環(huán)節(jié)的防靜電手段比較到位的話，并不用擔(dān)心門極被靜電打壞。
VE是接在IGBT的發(fā)射極上的，根據(jù)上頁(yè)的陳述，GE之間的電阻對(duì)于VE來說就是靜態(tài)負(fù)載 來說就是靜態(tài)負(fù)載，在SCALE-2芯片應(yīng)用中，這是不允許的。
SCALE-2芯片的短路保護(hù)原理
1. 當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí)，紅點(diǎn)電位從-10V開始上升（內(nèi)部mosfet把紅點(diǎn)電位鉗在-10V），IGBT集電極電位下降至 集電極電位下降至Vcesat，最終紅點(diǎn)也到達(dá) 最終紅點(diǎn)也到達(dá)Vcesat；
2. 當(dāng)IGBT短路后，IGBT會(huì)退出飽和區(qū)，此時(shí)藍(lán)點(diǎn)電位迅速上升至直流母線電壓，藍(lán)點(diǎn)會(huì)通過電阻向紅點(diǎn)充電，經(jīng)過一段時(shí)間后（例如5us），紅點(diǎn)電位會(huì)上升至綠點(diǎn)，比較器翻轉(zhuǎn)，IGBT被關(guān)斷。
報(bào)錯(cuò)信號(hào)的處理
對(duì)于光接 的即插即用驅(qū)動(dòng)器 口的即插即用驅(qū)動(dòng)器，需要在 控系統(tǒng)中將驅(qū)動(dòng)器 主控系統(tǒng)中將驅(qū)動(dòng)器送出的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，如下圖所示電路。
再通過CPLD對(duì)此脈寬進(jìn)行識(shí)別，例如，700~900ns的脈沖為正常的應(yīng)答信號(hào)，而超過1 5us 2us 1.5us~2us的脈寬則認(rèn)定為故障信號(hào) 的脈寬則認(rèn)定為故障信號(hào)。
- 其他產(chǎn)品
