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基本參數

制造商: Infineon 

產品種類: IGBT 模塊 

產品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.7 V 

在25 C的連續集電極電流: 800 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 5 kW  

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 38 mm  

長度: 140 mm  

寬度: 130 mm  

安裝風格: Screw Mount  

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

工廠包裝數量: 2只

短路保護和過流保護的意義及其區別

通常我們說的短路保護和過流保護是不一樣的，是兩個很不一樣的概念， 不應該混為一談。 短路分為一類及二類兩種，但這兩種短路都有一個共同點，那就是，IGBT 會出現 “退飽和現象 ”，當IGBT一旦退出飽和區，它的損耗會成百倍的往上 升，那么允許持續這種狀態的時會非常苛刻了，只有10us，我們需要靠驅 動器發現這一行為并關掉門極。 IGBT過流的情況則是，回路電感較大，電流爬升很慢（相對于短路）， IGBT不會發生退飽和現象，但是由于電流比正常工況要高很多，因此經過 若干個開關周期后，IGBT的損耗也會比較高，結溫也會迅速上升，從而導 致失效。在這時，IGBT 驅動 般是不能 時發 這 象的 動器一般是不能 及時發 現 這一現象的，因 為 IGBT的飽和壓降的變化很微弱，驅動器通常識別不到這種變化。所以需要 靠電流傳感器來感知電流的數值，對系統進行保護。 所以，我們認為，IGBT驅動器是為了解決短路保護，而過流保護則是由 電流傳感器來完成。