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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產品種類: IGBT 模塊 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2 V 

在25 C的連續集電極電流: 340 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1.4 kW 

封裝箱體: EconoPACK+ 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 17 mm  

長度: 162 mm  

寬度: 150 mm  

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 4只

IGBT 處于斷態時，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動態特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行的，只是在 漏源電壓 Uds 下降過程后期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成，如下圖所示

IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關斷。 IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸 入阻抗特性。 當 MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一 層進行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時，也具有低的通態電壓。 IGBT 的工作特性包括靜態和動態兩類： 1．靜態特性 IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和 開關特性。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時，漏極電流與 柵極電壓之間的關 系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR 的 輸出特性相似．也可分為飽和 區 1 、放大區 2 和擊穿特性 3 部分。在截止狀態下的 IGBT ，正向電 壓由 J2 結承擔，反向電壓由 J1 結承擔。如果無 N+ 緩沖區，則正 反 向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+ 緩沖區后，反向關斷電壓只 能達到幾十 伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應用范圍。