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產品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS300R17KE3 300A 1700V
產品類型: 英飛凌IGBT
產品型號: FS300R17KE3
發布時間: 2018-09-21
- 產品描述
詳細參數
制造商: 英飛凌
產品種類: IGBT 模塊
集電極發射極最大電壓 VCEO: 1700 V
集電極射極飽和電壓: 2.45 V
在25 C的連續集電極電流: 375 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1650 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 162 mm
寬度: 150 mm
柵極發射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數量: 4只
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關系曲線。它與 MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處于關斷狀 態。在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內， Id 與 Ugs 呈線性關系。最高柵源電 壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。 IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。 IGBT 處于導通態時，由于 它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構，但 流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ； Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh ——溝道電阻。 通態電流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。
由于 N+ 區存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態壓降為 2 ～ 3V 。
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