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產品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FZ1200R16KF4 1200A 1600V
產品類型: 英飛凌IGBT
產品型號: FZ1200R16KF4
發布時間: 2018-09-19
- 產品描述
詳細參數
制造商: 英飛凌
產品種類: IGBT 模塊
集電極發射極最大電壓 VCEO: 1600 V
集電極射極飽和電壓: 3.5 V
在25 C的連續集電極電流: 1200 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 7.8 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 38 mm
長度: 140 mm
寬度: 130 mm
柵極發射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數量: 2只
關于二極管的討論
IGBT中的續流二極管,實際上是 個非常重要的元件 實際上是一個非常重要的元件,但往 往容易被忽視。請注意以下幾條: 1. 在IGBT開通的時刻,實際上是續流二極管關斷的時刻。 2. 所有的功率半導體 所有的功率半導體,包括IGBT芯片和二極管芯片 芯片和二極管芯片,在關 斷的時刻面臨的風險遠大于其開通時面臨的風險。換句話 說,在IGBT關斷的時刻,IGBT芯片的損壞風險是最大的; 在IGBT開通的時刻,二極管芯片的損壞風險是最大的 極管芯片的損壞風險是最大的。 3. IGBT芯片出現短路時,驅動器可以幫忙保護;但二極管 芯片損壞時,沒有其他的防護手段
IGBT開通過程中二極管的風險點
二極管的電壓尖峰是由于雜散電 感與二極管反向恢復電流的后沿 相作用而產生的。所以減小直流 母排的雜散電感及優化反向恢復 電流的后半沿的斜率都可以有效 提高二極管的安全裕量。在二極管反向恢復電流達到最大值后, 二極管的功率也達到最大值,如果此時二極管電壓尖峰明顯,則二極管損 壞的風險將大大增加,因此雜散電感大小對二極管意義也很大。
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