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產(chǎn)品名稱(chēng): 英飛凌IGBT模塊 FZ1200R16KF4 1200A 1600V
產(chǎn)品類(lèi)型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FZ1200R16KF4
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-19
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1600 V
集電極射極飽和電壓: 3.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 1200 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 7.8 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 38 mm
長(zhǎng)度: 140 mm
寬度: 130 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 2只
關(guān)于二極管的討論
IGBT中的續(xù)流二極管，實(shí)際上是 個(gè)非常重要的元件 實(shí)際上是一個(gè)非常重要的元件，但往 往容易被忽視。請(qǐng)注意以下幾條： 1. 在IGBT開(kāi)通的時(shí)刻，實(shí)際上是續(xù)流二極管關(guān)斷的時(shí)刻。 2. 所有的功率半導(dǎo)體 所有的功率半導(dǎo)體，包括IGBT芯片和二極管芯片 芯片和二極管芯片，在關(guān) 斷的時(shí)刻面臨的風(fēng)險(xiǎn)遠(yuǎn)大于其開(kāi)通時(shí)面臨的風(fēng)險(xiǎn)。換句話(huà) 說(shuō)，在IGBT關(guān)斷的時(shí)刻，IGBT芯片的損壞風(fēng)險(xiǎn)是最大的； 在IGBT開(kāi)通的時(shí)刻，二極管芯片的損壞風(fēng)險(xiǎn)是最大的 極管芯片的損壞風(fēng)險(xiǎn)是最大的。 3. IGBT芯片出現(xiàn)短路時(shí)，驅(qū)動(dòng)器可以幫忙保護(hù)；但二極管 芯片損壞時(shí)，沒(méi)有其他的防護(hù)手段
IGBT開(kāi)通過(guò)程中二極管的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)
二極管的電壓尖峰是由于雜散電 感與二極管反向恢復(fù)電流的后沿 相作用而產(chǎn)生的。所以減小直流 母排的雜散電感及優(yōu)化反向恢復(fù) 電流的后半沿的斜率都可以有效 提高二極管的安全裕量。在二極管反向恢復(fù)電流達(dá)到最大值后， 二極管的功率也達(dá)到最大值，如果此時(shí)二極管電壓尖峰明顯，則二極管損 壞的風(fēng)險(xiǎn)將大大增加，因此雜散電感大小對(duì)二極管意義也很大。
- 其他產(chǎn)品
