IGBT是一種十分重要的電力電子器件。它既有功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有大功率晶體管導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)。它在任何時(shí)刻可關(guān)斷通態(tài)電流，避免了普通晶閘管在一個(gè)半波內(nèi)只能導(dǎo)通不能關(guān)斷的弱點(diǎn)。在電力電子領(lǐng)域是一個(gè)十分有發(fā)展前途的大功率半導(dǎo)體器件。
  IGBT這種新型功率半導(dǎo)體器件又稱絕緣柵雙極型晶體管，是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機(jī)傳動(dòng)、汽車等強(qiáng)電控制等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。它問世近三十年，已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。

 

  IGBT芯片發(fā)展趨勢(shì)是：薄片工藝，主要是減少熱阻，減小襯底電阻從而減小通態(tài)損耗[9];小管芯，主要是提高器件的電流密度，15年來管芯的 面積減少了2/3；大硅片，硅片由5英寸變?yōu)?2英寸，面積增加了5.76倍，折算后每顆芯粒的成本可以大大的降低。
  Infineon英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱。

英飛凌分別針對(duì)小、中、大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)的三種IGBT4芯片
 

  英飛凌IGBT4芯片技術(shù)：
  ?基于溝槽柵+場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)，1200V和1700V；
  ?1200V三種類型：小功率T4、中功率E4、大功率P4；
  ?1700V兩種類型：中功率E4、大功率P4；
  ?P4實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷特性的明顯提升，關(guān)斷時(shí)電壓尖峰小，無振蕩；
  ?T4和E4提高關(guān)斷速度，開關(guān)頻率較高時(shí)輸出能力優(yōu)于T3和E3；
  ?配用反向恢復(fù)特性更"軟"的EmCon4續(xù)流二極管；
  ?飽和電壓正溫度系數(shù)，10 μs短路承受時(shí)間不變。
 
  英飛凌IGBT芯片選型（以下芯片如有需要，請(qǐng)聯(lián)系我司相關(guān)人員）