IGBT
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件,其具有兩個(gè)MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和電壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流大; MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通電壓降大,且載流密度小。 IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn),具有低驅(qū)動(dòng)功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng),如交流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源、照明電路、牽引驅(qū)動(dòng)和其他領(lǐng)域。

IGBT是一種十分重要的電力電子器件。它既有功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有大功率晶體管導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)。它在任何時(shí)刻可關(guān)斷通態(tài)電流,避免了普通晶閘管在一個(gè)半波內(nèi)只能導(dǎo)通不能關(guān)斷的弱點(diǎn)。在電力電子領(lǐng)域是一個(gè)十分有發(fā)展前途的大功率半導(dǎo)體器件。
IGBT這種新型功率半導(dǎo)體器件又稱絕緣柵雙極型晶體管,是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機(jī)傳動(dòng)、汽車等強(qiáng)電控制等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。它問世近三十年,已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。
“薄如蟬翼”的IGBT芯片
IGBT芯片發(fā)展趨勢(shì)是:薄片工藝,主要是減少熱阻,減小襯底電阻從而減小通態(tài)損耗[9];小管芯,主要是提高器件的電流密度,15年來管芯的 面積減少了2/3;大硅片,硅片由5英寸變?yōu)?2英寸,面積增加了5.76倍,折算后每顆芯粒的成本可以大大的降低。
Infineon英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱。
英飛凌分別針對(duì)小、中、大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)的三種IGBT4芯片
英飛凌IGBT4芯片技術(shù):
?基于溝槽柵+場(chǎng)終止結(jié)構(gòu),1200V和1700V;
?1200V三種類型:小功率T4、中功率E4、大功率P4;
?1700V兩種類型:中功率E4、大功率P4;
?P4實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷特性的明顯提升,關(guān)斷時(shí)電壓尖峰小,無振蕩;
?T4和E4提高關(guān)斷速度,開關(guān)頻率較高時(shí)輸出能力優(yōu)于T3和E3;
?配用反向恢復(fù)特性更"軟"的EmCon4續(xù)流二極管;
?飽和電壓正溫度系數(shù),10 μs短路承受時(shí)間不變。
英飛凌IGBT芯片選型(以下芯片如有需要,請(qǐng)聯(lián)系我司相關(guān)人員)
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