IGBT
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件,其具有兩個(gè)MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和電壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流大; MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通電壓降大,且載流密度小。 IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn),具有低驅(qū)動(dòng)功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng),如交流電機(jī)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引驅(qū)動(dòng)和其他領(lǐng)域。

用于輕型牽引車(chē)中儲(chǔ)能系統(tǒng)的半導(dǎo)體解決方案介紹
想要滿(mǎn)足這些特殊要求,可以使用基于鋰離子牽引電池或超級(jí)電容器的儲(chǔ)能系統(tǒng),為了充分利用存儲(chǔ)系統(tǒng)的能力,有必要采用合適的功率轉(zhuǎn)換器,來(lái)同時(shí)管理充電和消耗中的能量流。這個(gè)要求與DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān),DC-DC轉(zhuǎn)換器必須在潛在的高工作溫度下,處理大量的循環(huán)負(fù)載。
在沒(méi)有電車(chē)電源的情況下,對(duì)于輕型牽引車(chē)臨時(shí)操作能力的要求是常見(jiàn)的功能特性。在許多歷史悠久的城市市中心地區(qū),經(jīng)常缺乏接觸電車(chē)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,但是會(huì)經(jīng)常使用這種運(yùn)作模式。它也適用于分開(kāi)線(xiàn)路之間的連接,也是在電力中斷期間,緊急操作車(chē)輛所需的功能。此外,它還需要低噪音、高舒適度、零排放的運(yùn)行,排除過(guò)去常用的柴油電動(dòng)傳動(dòng)系統(tǒng)。
采用電動(dòng)/電動(dòng)混合方法則可滿(mǎn)足上述的所有要求。
在這種要求下,采用牽引電池或超級(jí)電容器來(lái)做為能量存儲(chǔ)系統(tǒng),可為電力傳動(dòng)系提供調(diào)節(jié)的電力。
圖1是電車(chē)的方案,其中電力轉(zhuǎn)換器安裝在列車(chē)頂部
在列車(chē)頂部單元的內(nèi)部,是用于管理進(jìn)出電池能量流的DC-DC轉(zhuǎn)換器,是電力電子系統(tǒng)的一部分。
該轉(zhuǎn)換器是一種緊湊的、通常采用強(qiáng)制風(fēng)冷的動(dòng)力裝置。電氣設(shè)備的發(fā)展重點(diǎn),則是為使用牽引電池或超級(jí)電容器的電源轉(zhuǎn)換器尋找最佳的解決方案。為滿(mǎn)足這些需求,必須要符合以下幾點(diǎn)規(guī)范:
1)在電車(chē)模式下,必須能夠從直流電車(chē)系統(tǒng)中,充分控制能量存儲(chǔ)器的充電。這與400VDC至1000VDC的輸入電壓范圍相關(guān)。
2)在電池模式下,必須做好電流從電池到推進(jìn)逆變器、輔助轉(zhuǎn)換器和車(chē)輛電池充電器的良好控制。
3)在這兩種模式下,即使暴露在相對(duì)較高的溫度和強(qiáng)制空氣冷卻能力有限的情況下,也必須能夠安全處理短暫但又具重復(fù)性的200kW負(fù)載突發(fā)至少60秒的時(shí)間。
4)實(shí)現(xiàn)高運(yùn)行效率,同時(shí)在均勻的低重量下占用較小的體積。
為了滿(mǎn)足規(guī)范1和2的要求,并且根據(jù)邊界條件,直流斬波器需要考慮兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
如果能量存儲(chǔ)系統(tǒng)的運(yùn)行值高于或低于電車(chē)電壓水平,則必須使用2象限直流斬波器,適用方案如圖2所示。
圖2:2象限直流斬波器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
如果儲(chǔ)能系統(tǒng)的電壓始終低于電車(chē)電壓,則最合適的是降壓- 升壓直流斬波器,如圖3所示。
圖3:降壓 - 升壓直流斬波器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
在電車(chē)模式下,轉(zhuǎn)換器做為降壓斬波器工作,提供的電壓低于無(wú)軌電車(chē)內(nèi)部系統(tǒng)的電車(chē)電源。在電池模式下,轉(zhuǎn)換器用作升壓斬波器,為電氣系統(tǒng)提供高于存儲(chǔ)系統(tǒng)輸出的電壓。
為了滿(mǎn)足規(guī)范3和4,則需要合適的功率半導(dǎo)體器件。解決方案需要采用1700 V級(jí)IGBT模塊,以支持足夠的電流范圍,擁有較低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,以及具有低熱阻的堅(jiān)固封裝。另外,還要求系統(tǒng)級(jí)的較佳成本和性能比。
屬于PrimePACK?系列的IGBT模塊配備了第四代IGBT/FWD芯片,是一種合適的解決方案。該IGBT模塊系列包括1200 V和1700 V級(jí)半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT,提供600 A至1400 A的標(biāo)稱(chēng)電流。模塊提供兩種耐用的穩(wěn)固封裝,均配有集成的NTC傳感器以擷取模塊的底板溫度。
如圖4所示,這些組件專(zhuān)用于重載移動(dòng)應(yīng)用,并允許考慮為可擴(kuò)展設(shè)計(jì)。
圖4:采用熱界面材料(TIM)的PrimePACK? 2和3
為了實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的安全操作和全功率利用,需要選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。評(píng)估時(shí),2ED250E12_F雙通道IGBT驅(qū)動(dòng)器以及增強(qiáng)級(jí)MA300E17,可用于幫助設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)專(zhuān)用解決方案,兩種器件都可以在圖5中看到。
功率部分的熱狀況需要實(shí)施最精確的熱測(cè)量到控制策略中,以在不超過(guò)規(guī)定的操作極限的情況下,最大限度地利用功率。
通常,散熱器的表面溫度已經(jīng)使用外部溫度傳感器來(lái)進(jìn)行監(jiān)控。基于該反饋,轉(zhuǎn)換器的功率輸出已由控制系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)整。然而,IGBT模塊的底板溫度明顯會(huì)更高,因此內(nèi)部的敏感晶體管和二極管芯片的溫度也會(huì)更高。出于安全原因,必須選擇相當(dāng)保守的溫度值來(lái)觸發(fā)轉(zhuǎn)換器輸出功率的降低。
圖5:雙通道驅(qū)動(dòng)器2ED250E12_F和增壓級(jí)MA300E17安裝在相應(yīng)的電源模塊
為了獲得更準(zhǔn)確的信息,監(jiān)測(cè)熱負(fù)荷和觸發(fā)過(guò)熱保護(hù)的設(shè)計(jì),應(yīng)使用IGBT模塊內(nèi)部NTC測(cè)量的溫度。
該方法提供了關(guān)于實(shí)際操作中半導(dǎo)體熱負(fù)載更真實(shí)的觀(guān)察,特別是如果精準(zhǔn)地確定芯片溫度和NTC讀數(shù)之間的熱相關(guān)性,便可以推斷出靜態(tài)操作下的穩(wěn)固信息。
目前輕型牽引車(chē)中的牽引電池或超級(jí)電容器等儲(chǔ)能系統(tǒng)的數(shù)量正在不斷增加,可以保守地假設(shè),對(duì)直流轉(zhuǎn)換器功率容量的更高要求將成為趨勢(shì)。同時(shí),也存在降低其重量和尺寸的壓力,以及包括更平穩(wěn)的直流扼流圈。為了在不久的將來(lái)滿(mǎn)足這些要求,新型IGBT模塊將采用英飛凌.XT技術(shù)的第5代IGBT模塊形式,將可提供絕佳的選擇。
與現(xiàn)有模塊相比,這些新型模塊具有更高的性能。由于具有較低的總功率損耗,因此有更高25℃的結(jié)溫Tvjopmax = 175℃,模塊具有更高的功率密度。預(yù)計(jì)在相同的面積下,輸出功率至少高出30%。因此可以設(shè)計(jì)出具有相同類(lèi)型IGBT模塊封裝的更高性能轉(zhuǎn)換器,從而減少重新設(shè)計(jì)和升級(jí)的工作量。
此外,由于先進(jìn)的互連技術(shù),基于.XT技術(shù)的內(nèi)部模塊結(jié)構(gòu),在功率和熱循環(huán)負(fù)載方面,實(shí)現(xiàn)了顯著更高的使用壽命。
從中期來(lái)看,評(píng)估重點(diǎn)是基于最近推出的Trench技術(shù)中,基于碳化硅(SiC)MOSFET功率組件的應(yīng)用。由于這些組件的特殊性能,特別是與Si IGBT模塊相比具有相當(dāng)?shù)偷拈_(kāi)關(guān)損耗,因此對(duì)采用這種功率組件的直流斬波器性能將有一些改進(jìn):
? 由于高開(kāi)關(guān)頻率,大大減小了無(wú)源組件的尺寸和重量,例如功率薄膜電容器和直流扼流圈
? 顯著降低噪音
? 具有相同輸出功率的轉(zhuǎn)換器冷卻要求將顯著降低,從而減小散熱器和風(fēng)扇的尺寸和重量。反之亦然,具有相同尺寸的轉(zhuǎn)換器預(yù)計(jì)具有更高的輸出功率
專(zhuān)用電源單元必須能夠正確運(yùn)行能量存儲(chǔ)系統(tǒng),尤其是在敏感的移動(dòng)應(yīng)用中。除了電氣性能、功率密度和效率之外,還必須特別注意循環(huán)負(fù)載產(chǎn)生的后果。除了優(yōu)化冷卻和控制功率流之外,現(xiàn)代功率半導(dǎo)體解決方案還可以減少損耗,從而減少有限空間內(nèi)的功耗。寬帶隙材料具有出色的電氣性能,較高的開(kāi)關(guān)頻率有助于減少磁性組件中使用的材料量。盡管半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)方面的所有創(chuàng)新,適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計(jì),精確的溫度測(cè)量和合適的熱模型,仍然是電力電子組件開(kāi)發(fā)流程的重要組成部分。
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